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NXP Semiconductors
Quadruple low capacitance ESD
suppressor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Product data sheet
BZA800AVL series
SYMBOL
V F
PARAMETER
forward voltage
CONDITIONS
I F = 200 mA
?
MIN.
?
TYP.
MAX.
1.2
UNIT
V
I R
reverse current
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
V R = 3 V
V R = 4 V
V R = 4.3 V
?
?
?
?
?
?
200
100
20
nA
nA
nA
V Z
working voltage
I Z = 1 mA
r dif
S Z
C d
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
differential resistance
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
temperature coefficient
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
diode capacitance
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
f = 1 MHz; V R = 0
5.32
5.89
6.46
?
?
?
?
?
?
?
?
?
5.6
6.2
6.8
?
?
?
1.3
2.4
2.9
22
18
16
5.88
6.51
7.14
200
150
100
?
?
?
28
22
19
V
V
V
?
?
?
mV/K
mV/K
mV/K
pF
pF
pF
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 5 V
I ZSM
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
non-repetitive peak reverse current
BZA856AVL
BZA862AVL
BZA868AVL
t p = 1 ms; T amb = 25 ° C
?
?
?
?
?
?
12
9
8
?
?
?
17
12
11
0.90
0.85
0.80
pF
pF
pF
A
A
A
2003 Oct 20
4
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